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TW070J120B,S1Q
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TW070J120B,S1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 272W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P(N) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 272.39388 272.39388
  • 库存: 1
  • 单价: ¥272.39388
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥272.39
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 安装类别 通孔
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 场效应管特性 标准
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 36A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-3P(N)
  • 最大功耗 272W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 18A, 20V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.8V @ 20毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 67 nC @ 20 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V, -10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1680 pF@800 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度
  • 色彩/颜色 不锈钢

TW070J120B,S1Q 产品详情

TW070J120B,S1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TW070J120B,S1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TW070J120B,S1Q价格参考¥272.393880,你可以下载 TW070J120B,S1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TW070J120B,S1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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