9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN4R8-100PSEQ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN4R8-100PSEQ参考价格$4.57000。Nexperia USA Inc.PSMN4R8-100PSEQ封装/规格：MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB。您可以下载PSMN4R8-100PSEQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN4R8-100BSEJ是MOSFET N-CH 100V D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为405W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为14400pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tj），最大Id Vgs的Rds为4.8mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为278nC@10V，Pd功耗为406 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为69 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为127ns，典型导通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为196nC，信道模式是增强。
带有NXP制造的用户指南的PSMN4R6-60B。PSMN4R6-60B在TO263封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN4R6-60PS是NXP制造的MOSFET N-CH 60V TO220AB。PSMN4R6-60PS在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V TO220AB。
