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IPP60R160P6XKSA1
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IPP60R160P6XKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.8A(Tc) 最大功耗: 176W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 179

数量 单价 合计
1+ 9.23904 9.23904
  • 库存: 10
  • 单价: ¥9.23904
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,653.79
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 23.8A(Tc)
  • 最大功耗 176W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@9A、10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 750A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2080 pF@100 V
  • 色彩/颜色 不锈钢

IPP60R160P6XKSA1 产品详情

英飞凌CoolMOS™ P6超结MOSFET系列旨在实现更高的系统效率,同时易于设计。CoolMOS™ P6填补了专注于提供终极性能的技术与更专注于易用性的技术之间的差距。

特色

  • 减少的栅极电荷(Q g)
  • 较高的V th
  • 良好的车身二极管耐用性
  • 优化的集成R g
  • dv/dt从50V/ns提高
  • 正向电阻™ 在超结技术方面拥有超过12年的制造经验
  • 提高效率,尤其是在轻负载条件下
  • 由于提前关闭,软交换应用的效率更高
  • 适用于硬和软交换拓扑
  • 优化了效率和易用性的平衡,以及开关行为的良好可控性
  • 高鲁棒性和更好的效率
  • 卓越的质量和可靠性

应用

  • 服务器、电信整流器、PC银盒、游戏控制台的PFC级
  • 用于服务器、电信整流器、PC银盒、游戏控制台的PWM级(TTF,LLC)
IPP60R160P6XKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP60R160P6XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP60R160P6XKSA1价格参考¥9.239043,你可以下载 IPP60R160P6XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP60R160P6XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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