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IPA60R600C6是MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA60R600 C6XK IPA60R600-C6XKSA1 SP000660624，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为28W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极源极导通电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80nS，Qg栅极电荷为20.5nC。
IPA60R520E6是MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS E6，该器件提供470 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有23.4 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为29 W，零件别名为IPA60R520E6XK IPA60R520 E6XKSA1 SP000797614，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8.1 A。
IPA60R600C6（6R600C6），带有INFINEON制造的电路图。IPA60R600C6（6R600C6）采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
IPA60R600CP是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3。IPA60R600CP采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3。
