9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APL502LG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APL502LG参考价格为53.74000美元。Microchip Technology APL502LG封装/规格：MOSFET N-CH 500V 58A TO264。您可以下载APL502LG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APL502J是MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商品名设计用于ISOTOP，以及SOT-227-4，miniBLOC封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备在ISOTOPR供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为568W，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为9000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为52A，Rds On Max Id Vgs为90mOhm@26A，12V，Vgs th Max Id为4V@2.5mA，Pd功耗为568W，下降时间为14ns，上升时间为24ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为52A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-源极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为13ns。
APL502B2G是MOSFET功率MOSFET-线性，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们被设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间特性，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为56 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为90 mOhms，Pd功耗为730 W，封装外壳为T-Max-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为58A，下降时间为16ns，沟道模式为增强。
APL502L带有APT制造的电路图。APL502L可在MODULE封装中获得，是模块的一部分。
