9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP48N12N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP08N12N3GXKSA1参考价格$4.76000。英飞凌科技IPP08N12N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3。您可以下载IPP48N12N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPP08N12N3GXKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP08N12N3 G是MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP08N1 2N3GXK IPP08N 2N3GXKSA1 SP000652734，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为31ns，Qg栅极电荷为137nC，前向跨导Min为162 S 81 S。
IPP48N04NGXKSA1是MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPP048N04，以及G IPP48NO4N IPP48NNO4NGXK SP000648308部件别名，该装置也可以用作管包装。此外，包装箱为TO-220-3，设备提供1信道数信道。
IPP48N06LG是由INF制造的MOSFET N-CH 60V 100A TO-220。IPP48NO6LG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH60V 100A-TO-220。
IPP48N12N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3。IPP48N12N3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3。
