9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFPE50PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFPE50PBF参考价格为5.08000美元。Vishay Siliconix IRFPE50PBF封装/规格：MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3。您可以下载IRFPE50PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFPE50PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFPE50是MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供190 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为7.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IRFPE40PBF是MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为36 ns，器件的漏极电阻为2欧姆，Pd功耗为150 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.4A，下降时间为32ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFPE40是由IR制造的N通道800V 5.4A（Tc）150W（Tc）通孔TO-247-3。IRFPE41采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分，支持N通道800W 5.4A（Tc）150W）通孔TO-247-3。
