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IPU80R750P7AKMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 51W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 483

数量 单价 合计
420+ 5.14245 2159.83278
  • 库存: 12900
  • 单价: ¥4.49060
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,483.81
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO251-3
  • 最大功耗 51W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 750毫欧姆 @ 2.7A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@140A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 460 pF @ 500 V
  • 色彩/颜色 不锈钢

IPU80R750P7AKMA1 产品详情

800V CoolMOS™ P7超级结MOSFET系列完全满足市场在性能、易用性和性价比方面的需求,非常适合低功率SMPS应用。它主要专注于回扫应用,包括适配器和充电器、LED驱动器、音频SMPS、AUX和工业电源。

与前代产品以及在典型回扫应用中测试的竞争对手部件相比,该新产品系列提供了高达0.6%的效率增益和2°C至8°C的MOSFET温度。它还通过更低的开关损耗和更好的DPAK R DS(on)产品实现更高的功率密度设计。总的来说,它帮助客户节省BOM成本并减少组装工作量。

特色

  • 最佳FOM R DS(on)*E oss;减少Qg、C iss和C oss
  • 最好的DPAK R DS(上)280mΩ
  • 最好的V(GS)级电压为3V,最小的V(GS)级电压变化为±0.5V
  • 集成齐纳二极管ESD保护达到2级(HBM)
  • 一流的质量和可靠性
  • 完全优化的产品组合
  • 与CoolMOS相比,效率增益为0.1%至0.6%,MOSFET温度降低2°C至8°C™ 第3页
  • 实现更高的功率密度设计、BOM节约和更低的组装成本
  • 易于驾驶和设计
  • 通过减少ESD相关故障提高产量
  • 减少生产问题和减少现场回报
  • 易于选择合适的零件,以进行设计微调

应用

  • 适配器
  • 发光二极管
  • 音频
  • 工业SMPS
  • AUX电源
IPU80R750P7AKMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPU80R750P7AKMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPU80R750P7AKMA1价格参考¥4.490598,你可以下载 IPU80R750P7AKMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPU80R750P7AKMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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