9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT9M100S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT9M100S参考价格为5.60000美元。微芯片技术APT9M100S封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK。您可以下载APT9M100S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT9F100B是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括0.229281盎司单位重量，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247，提供Si等技术特性，配置设计用于单级，以及337 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为24 ns，器件的上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，Vgs第栅极-源极端电压为4 V，Rds漏极源极电阻为1.6欧姆，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是84ns，并且典型接通延迟时间是27ns，并且Qg栅极电荷是80nC，并且正向跨导Min是10S，并且沟道模式是增强。
APT9M100B是MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1 kV，提供单位重量功能，如0.229281 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为11 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆，Qg栅极电荷为80 nC，Pd功耗为335 W，封装外壳为TO-247，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为9A，且正向跨导Min为10S，且下降时间为10ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT97N65LC6是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括Si技术。
APT9F100S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
