该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特色
- 异常v/dt能力
- 低阈值驱动
- 100%雪崩测试
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.73349 | 11.73349 |
10+ | 10.46599 | 104.65991 |
100+ | 8.15985 | 815.98510 |
500+ | 6.74082 | 3370.41100 |
1000+ | 5.64424 | 5644.24700 |
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该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
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