9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF830ASTRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF830ASTRLPBF价格参考2.50000美元。Vishay Siliconix IRF830ASTRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK。您可以下载IRF830ASTRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRF830ASTRLPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF830ALPBF是MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.084199盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRF830APBF是MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为21 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4欧姆，Pd功耗为74 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，下降时间为15ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF830ASPBF是MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了15 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如5A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为3.1W，Rds漏极-源极电阻为1.4欧姆，上升时间为21ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为21s，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IRF830AS是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK。IRF830A可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 5A D2PAG、N通道500V 5A（Tc）3.1W（Ta）、74W（Tc。
