这些非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用基于创新的专有垂直结构的MDmesh K5技术设计的。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
特色
- 行业最慢的RDS(on)xarea
- 行业最佳FoM(绩效指标)
- 超低门电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 54.90118 | 54.90118 |
10+ | 49.62110 | 496.21108 |
100+ | 41.08100 | 4108.10050 |
500+ | 36.71715 | 18358.57850 |
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这些非常高电压的N沟道功率MOSFET是使用基于创新的专有垂直结构的MDmesh K5技术设计的。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
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