9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCPF20N60T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCPF20N60T参考价格为1.94000美元。onsemi FCPF20N60T封装/规格：功率MOSFET，N通道，SUPERFE。您可以下载FCPF20N60T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FCPF190N65FL1带有引脚细节，包括卡套管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供39 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.2 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V 30 V，Id连续漏极电流为20.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导最小值为18S。
FCPF20N60是MOSFET N-CH 600V 20A TO220F，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.080072盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如62 ns，典型的关闭延迟时间设计为230 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件的上升时间为140纳秒，器件的漏极电阻为190毫欧姆，Pd功耗为39 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为20 A，正向跨导最小值为17 S，下降时间为65 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FCPF190N60E_F152，电路图由Fairchild制造。是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，支持“MOSFET 650V、MOSFET 650V、190mOhm SuperFET II MOSFET”。
FCPF20N60FS是FSC制造的MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F。FCPF20N60FS采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F、N通道600V 20A（Tc）39W（Tc）通孔TO-220F-3。
