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IPP052N06L3 G是MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP052NO6L3GXK IPP052NO 6L3GXKSA1 SP000680802,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为115 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12 ns,上升时间为5 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为80A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds导通漏极-漏极电阻为4.7mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为56ns,典型接通延迟时间为11ns,沟道模式为增强。
IPP505N06NG是英飞凌制造的MOSFET N-CH 60V 100A TO-220。IPP050N06NG采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 60V 100A TO-220。
IPP505NE7N3 G,带有INFINEON制造的电路图。IPP505NE7N3 G采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。