9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCA20N60-F109，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCA20N60-F109参考价格为2.10000美元。onsemi FCA20N60-F109封装/规格：离散MOSFET。您可以下载FCA20N60-F109英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FCA20N60-F109价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FCA20N60F是MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN，包括管封装，设计用于0.225789 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-3P-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供208 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为62ns，正向跨导最小值为17S，沟道模式为增强。
FCA20N60_F109带用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如62 ns，典型的关闭延迟时间设计用于230 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件的上升时间为140纳秒，器件的漏极电阻为190毫欧姆，Pd功耗为208 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20 A，下降时间为65 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FCA200F-24-N1，带电路图，包括商用商用医疗设备，设计用于单相/单相输入类型，输入电压如数据表注释所示，用于187 VAC至528 VAC/265 VDC至530 VDC，提供DIN导轨等安装类型功能，输出数目设计用于1个输出，以及封闭式开放式框架封闭，该器件也可以用作8.4A输出电流通道1。此外，输出功率为200 W，该设备提供24 V输出电压通道1，该设备具有产品开关电源，系列为FCA。
FCA20N60是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P。FCA20N60以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P、N通道600V 20A（Tc）208W（Tc）通孔TO-3PN。
