9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF12N50DM2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF12N50DM2价格参考1.97000美元。STMicroelectronics STF12N50DM2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP。您可以下载STF12N50DM2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF12N50DM2，带有引脚细节，包括通孔安装型，设计用于to-220FP封装外壳，技术如数据表注释所示，用于Si，提供信道数功能，如1信道，配置设计用于1 N信道，以及1 N信道晶体管类型，该器件还可用于25 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为9.8 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为299毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28纳秒，典型接通延迟时间为12.5纳秒，Qg栅极电荷为120纳秒，沟道模式为增强型。
带有用户指南的STF12N50M2，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于500 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为13.5 ns，以及8 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh M2系列，该器件的上升时间为10.5 ns，漏极-源极电阻Rds为325 mOhms，Qg栅极电荷为15 nC，Pd功耗为85 W，封装为管，封装盒为TO-220FP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10 A，下降时间为34.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF12A80，电路图由SEMIWELL制造。STF12A80采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
STF12N120K5采用ST制造的EDA/CAD型号。STF12N120 K5采用MOSFET N-CH 1200V 12A TO-2封装，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET N沟道1200 V，N沟道1200V 12A（Tc）40W（Tc）通孔TO-220FP，Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin（3+Tab）TO-220FPTube，MOSFET N信道1200 V，典型值0.58欧姆，TO-220FP封装中的12 A MDmesh K5功率MOSFET”。
