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AOTF12N60L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.74750 12.74750
10+ 11.44378 114.43782
100+ 9.19775 919.77590
500+ 7.55695 3778.47600
1000+ 6.26141 6261.41500
2000+ 5.88847 11776.95600
  • 库存: 926
  • 单价: ¥12.74750
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.75
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 最大功耗 50W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 550毫欧姆 @ 6A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2100 pF@25 V
  • 供应商设备包装 TO-220F
  • 色彩/颜色 黑色

AOTF12N60L 产品详情

AOT12N60和AOTF12N60L采用先进的高压MOSFET工艺制造,设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Cis和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

特色


VDS(V)=700V@150°C
ID=12A
RDS(开)<0.55Ω(VGS=10V)

AOTF12N60L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AOTF12N60L 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AOTF12N60L价格参考¥12.747504,你可以下载 AOTF12N60L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AOTF12N60L规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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