9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCP21N60N,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FCP21N60N参考价格为2.13000美元。onsemi FCP21N60N封装/规格:FCP21N60-N沟道,MOSFET。您可以下载FCP21N60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FCP20N60是MOSFET 600V N沟道SuperFET,包括管封装,设计用于0.063493盎司的单位重量,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1沟道数量的沟道,该器件也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供208 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为65 ns,上升时间为140 ns,Vgs栅源电压为30 V,Id连续漏电流为20 A,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds漏极漏极-漏极电阻为190mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为230ns,典型接通延迟时间为62ns,正向跨导最小值为17S,沟道模式为增强。
FCP1913H823J-E4是CAP FILM 0.082UF 5%50VDC 1913,包括50V额定电压DC,它们设计为在±5%公差下工作。数据表注释中显示了用于焊盘的终端,该焊盘提供尺寸尺寸特征,例如0.189“L x 0.130”W(4.80mm x 3.30mm),系列设计为在FCP中工作,该器件也可作为1913(4833公制)封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~125°C,该器件为表面安装型,该器件具有介电材料聚苯硫醚(PPS),电容为0.082μF,应用于高频开关。
FCP1913H823J-E2是CAP FILM 0.082UF 5%50VDC 1913,包括高频开关应用,它们设计为在0.082μF电容下工作,该设备提供了高座最大功能,如0.083英寸(2.10mm),安装类型设计用于表面安装,其工作温度范围为-55°C~125°C,该设备也可以用作1913(4833公制)包装箱。此外,该设备采用散装包装,该设备为FCP系列,该设备具有0.189英寸长x 0.130英寸宽(4.80mm x 3.30mm)尺寸尺寸,端子为焊盘,公差为±5%,额定直流电压为50V。