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PSMN069-100YS，115是MOSFET N-CH LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N通道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作56W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供645pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为17A（Tc），最大Id Vgs的Rds为72.4 mOhm@5A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V。
PSMN063-150D+118，带有NXP制造的用户指南。PSMN063-150D+118在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN069-100YS，带有NXP制造的电路图。PSMN069-100YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
PSMN070-200B，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN070-200B在SOT404封装中提供，是FET的一部分-单个。
