IPTC012N08NM5ATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta), 396A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-16-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 66.56225 | 66.56225 |
10+ | 60.12331 | 601.23313 |
100+ | 49.77755 | 4977.75550 |
500+ | 46.60806 | 23304.03100 |
1800+ | 46.60806 | 83894.51160 |
- 库存: 652
- 单价: ¥66.56225
-
数量:
- +
- 总计: ¥66.56
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.2毫欧姆@100A,10V
- 供应商设备包装 PG-HDSOP-16-2
- 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Ta), 396A (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 275A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 219 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 16000 pF@40 V
- 最大功耗 3.8W (Ta), 375W (Tc)
- 包装/外壳 16 PowerSOP模块
- 色彩/颜色 不锈钢
IPTC012N08NM5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPTC012N08NM5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPTC012N08NM5ATMA1价格参考¥66.562251,你可以下载 IPTC012N08NM5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPTC012N08NM5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。