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STP15N60M2-EP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.28251 15.28251
10+ 13.72529 137.25296
100+ 11.03093 1103.09370
500+ 9.06260 4531.30300
1000+ 8.23879 8238.79900
  • 库存: 455
  • 单价: ¥15.28252
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.28
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 最大功耗 110W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590 pF @ 100 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 378毫欧姆 @ 5.5A, 10V
  • 色彩/颜色 -

STP15N60M2-EP 产品详情

STP15N60M2-EP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP15N60M2-EP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP15N60M2-EP价格参考¥15.282519,你可以下载 STP15N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP15N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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