这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET,使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发,这是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力,以满足最苛刻的应用。
特色
- 100%雪崩测试
- 网关费用最小化
- Verylowintrinsic电容
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 14.92037 | 14.92037 |
10+ | 13.41385 | 134.13851 |
100+ | 10.78105 | 1078.10570 |
500+ | 8.85777 | 4428.88850 |
1000+ | 8.05251 | 8052.51100 |
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这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET,使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发,这是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外,这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力,以满足最苛刻的应用。
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