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SCT20N120

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 175W(Tc) 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 129.57548 129.57548
10+ 119.08051 1190.80519
100+ 100.56766 10056.76670
500+ 98.15578 49077.89050
  • 库存: 356
  • 单价: ¥117.76955
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥129.58
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20A(Tc)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 175W(Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 290毫欧姆@10A,20V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 20 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 650 pF @ 400 V
  • 工作温度 -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 HiP247
  • 色彩/颜色 -

SCT20N120 产品详情

STMicroelectronics SCTx0N120碳化硅功率MOSFET采用先进创新的宽带隙材料生产。这产生了无与伦比的单位面积导通电阻和非常好的开关性能,几乎与温度无关。杰出的SiC材料热财产和专有的HiP247封装允许设计师使用具有显著提高热性能的行业标准大纲。这些特性使该设备非常适合高效和高功率密度应用。

特色

  • 电阻与温度的垂直变化
  • 极端高操作临界温度能力(TJ=200°C)
  • Veryfastandroblastic半导体二极管
  • 低电容
SCT20N120所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCT20N120 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCT20N120价格参考¥117.769554,你可以下载 SCT20N120中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCT20N120规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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