9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6678，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6678价格参考2.32000美元。Infineon Technologies IRF6678封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET。您可以下载IRF6678英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF6668TRPBF是MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DIRECTFET，提供封装外壳功能，如DIRECTFET-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为23 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为55 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为12mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.1ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为22nC，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
IRF6674TRPBF是MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于7 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如12 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作DirectFET商品名。此外，该技术为Si，器件在12 ns上升时间内提供，器件具有9 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为24 nC，Pd功耗为89 W，封装为卷轴，封装外壳为DirectFET-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-40 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为67 A，下降时间为8.7 ns，配置为单四漏双源，通道模式为增强型。
IRF6674TR1PBF是MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET，包括双配置，它们设计为在8.7 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了16 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏电流功能，如67 a，其最大工作温度范围为+150 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为DirectFET-7，器件采用卷筒封装，器件具有89 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为24 nC，Rds漏极-源极电阻为9 mOhms，上升时间为12 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第二栅极-源极端电压为4.9V。
