IV1Q12050T3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 327W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 瞻芯电子 (Inventchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 284.50111 | 284.50111 |
| 10+ | 262.35956 | 2623.59567 |
| 100+ | 224.03738 | 22403.73830 |
| 500+ | 203.40236 | 101701.18050 |
- 库存: 113
- 单价: ¥284.50111
-
数量:
- +
- 总计: ¥284.50
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 20伏
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 58A (Tc)
- 技术 碳化硅结型晶体管
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-5伏
- 制造厂商 瞻芯电子 (Inventchip)
- 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 20A, 20V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.2V@6毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 120 nC@20 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2770 pF@800 V
- 最大功耗 327W (Tc)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IV1D12005O2 | 瞻芯电子 (Inventchip) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 17A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥47.36857 |
 | IV1D12010O2 | 瞻芯电子 (Inventchip) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 28A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-220-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥85.32136 |
 | IV1D12010T2 | 瞻芯电子 (Inventchip) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 30A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥85.32136 |
 | IV1D12015T2 | 瞻芯电子 (Inventchip) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 44A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247-2 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥105.3842 |
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IV1Q12050T3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IV1Q12050T3 由 瞻芯电子 (Inventchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IV1Q12050T3价格参考￥284.501112，你可以下载 IV1Q12050T3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IV1Q12050T3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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Inventchip Technology Co.，Ltd.是一家高科技半导体公司，专注于碳化硅（SiC）功率器件、门驱动IC和电源管理控制器IC的产品开发。公司成立于2017年7月，总部位于中国上海，...
