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AFT18HW355SR5

  • 描述:RF N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2

数量 单价 合计
2+ 1840.42089 3680.84178
  • 库存: 50
  • 单价: ¥1,840.42089
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,680.84
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)

AFT18HW355SR5 产品详情

AFT18HW355SR6 63瓦非对称Doherty RF功率LDMOS晶体管专为蜂窝基站应用而设计,该应用需要非常宽的瞬时带宽能力,覆盖1805至1880 MHz的频率范围。

特色

  • 高级高性能封装Doherty
  • 专为宽瞬时带宽应用而设计
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 设计用于数字预失真误差校正系统
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R6后缀=150单位,56 mm胶带宽度,13英寸卷筒。
AFT18HW355SR5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AFT18HW355SR5 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AFT18HW355SR5价格参考¥1840.420890,你可以下载 AFT18HW355SR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AFT18HW355SR5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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