GA10JT12-263
- 描述:漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 150.21774 | 150.21774 |
| 10+ | 138.08588 | 1380.85889 |
| 100+ | 116.61865 | 11661.86570 |
| 500+ | 103.74078 | 51870.39050 |
- 库存: 0
- 单价: ¥150.21775
-
数量:
- +
- 总计: ¥150.22
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Tc）
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 最大功耗 170W（Tc）
- 技术 碳化硅结型晶体管
- 导通电阻 Rds(ON) 120欧姆@10A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1403 pF@800 V
- 色彩/颜色 -
GA10JT12-263 产品详情
GeneSiC碳化硅结型晶体管/肖特基二极管Co-Packs是一种模块中带有碳化硅（SiC）整流器的混合硅IGBT。GeneSiC使用最新一代低损耗IGBT，并将其与碳化硅二极管配对。用碳化硅肖特基整流器取代传统的硅续流二极管（FWD）提供了革命性的开关性能。这些改进将开创电力转换应用的新时代。这些设备以TO-263-7L或SOT-227封装形式提供。
GA10JT12-263 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | GA1824 | 基准测试仪 (BenchPro) | CORONA SHIELDS USING 3/16" ACRYL | ¥470.49878 |
 | GA1624 | 基准测试仪 (BenchPro) | CORONA SHIELDS USING 3/16" ACRYL | ¥393.07218 |
 | GA1AUV100WP | 虹晶科技 (Socle) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 电源电压: 2.2伏~5.5伏 工作温度: -35摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 4-SMD，无引线 | ¥8.39271 |
 | GA1A1S203WP | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 当前的 工作波长: 555nm 电源电压: 2.3V ~ 3.2V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 4-SMD，无引线 | ¥1,046.59859 |
 | GA1A1S204WP | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 当前的 工作波长: 555nm 电源电压: 2.3V ~ 3.2V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 4-SMD，无引线 | ¥28.34876 |
 | GA1A1S201WP | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 当前的 工作波长: 555nm 电源电压: 2.3V ~ 3.2V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 4-SMD，无引线 | ¥1,723.494 |
| GA1A1S100WP | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 电压 工作波长: 555nm 电源电压: 2.7伏~3.6伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 4-SMD，无引线 | ¥260.60353 |
 | GA1A2S100LY | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 当前的 工作波长: 555nm 电源电压: 2.7伏~3.6伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 径向-3引线 | ¥25.29492 |
 | GA1A2S100SS | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 当前的 工作波长: 555nm 电源电压: 2.7伏~3.6伏 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 径向-3引线 | ¥42.94428 |
 | GA1A1S202WP | 夏普株式 (Sharp) | 种类: 周围的 输出类别: 当前的 工作波长: 555nm 电源电压: 2.3V ~ 3.2V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 4-SMD，无引线 | ¥28.1278 |
GA10JT12-263所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，GA10JT12-263 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GA10JT12-263价格参考￥150.217746，你可以下载 GA10JT12-263中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GA10JT12-263规格参数、现货库存、封装信息等信息！
基因半导体公司 (GeneSiC)
GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者，同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。
