该功率MOSFET采用该公司基于MESH OVERLAY工艺的整合带状布局设计。与来自不同来源的标准部件相比，该技术匹配并提高了性能。
特色
- 极高的dv/dt能力
- Verylowintrinsic电容
- 网关费用最小化
IRF630
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.50220 | 10.50220 |
| 10+ | 9.39404 | 93.94041 |
| 100+ | 7.32619 | 732.61930 |
| 500+ | 6.05202 | 3026.01100 |
| 1000+ | 5.06749 | 5067.49500 |
- 库存: 300
- 单价: ¥9.56063
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.50
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大功耗 75W (Tc)
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 TO-220
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 700 pF @ 25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 4.5A, 10V
- 色彩/颜色 White
IRF630 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF630所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF630 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF630价格参考￥9.560628，你可以下载 IRF630中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF630规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
