Vishay SiRA20DP N沟道25V MOSFET具有优化的总栅电荷（Qg）、栅漏电荷（Qgd）和Qgd/栅源电荷（Qgs）比，可减少开关相关的功率损耗。SiRA20DP是一种TrenchFET� 经过100%Rg和UIS测试的IV代设备。典型的应用包括同步整流、高功率密度DC/DC、同步降压转换器、OR环、负载切换和电池管理。
SIRA58ADP-T1-RE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32.3A (Ta), 109A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 56.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.32933 | 8.32933 |
| 10+ | 7.46743 | 74.67430 |
| 100+ | 5.82184 | 582.18430 |
| 500+ | 4.80928 | 2404.64300 |
| 1000+ | 3.79672 | 3796.72800 |
| 6000+ | 4.11469 | 24688.14600 |
- 库存: 1804
- 单价: ¥8.32934
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.33
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 61 nC @ 10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
- 包装/外壳 PowerPAKSO-8
- 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
- 漏源电流 (Id) @ 温度 32.3A (Ta), 109A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.65欧姆@15A、10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3030 pF @ 20 V
- 最大功耗 5W (Ta), 56.8W (Tc)
SIRA58ADP-T1-RE3 产品详情
Vishay Siliconix的SiRA20DP N沟道25 V MOSFET具有同类产品中最低的RDS（ON）。它通过优化总栅电荷（Qg）、栅漏电荷（Qgd）和Qgd/栅源电荷（Qgs）比来减少开关相关的功率损耗。极低的Qgd“米勒”电荷使通过平台电压更快。它采用传统的PowerPAK®SO-8设计封装。在不改变封装尺寸和引脚配置的情况下提供更高的功率密度。10密耳夹将封装贡献的电阻降低66%，并使硅的性能最大化。
SIRA58ADP-T1-RE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIR36 | 布雷迪 (Brady) | (RUG) SIR36, INDUSTRIAL RUG, 36" | ¥2,955.03077 |
 | SIR36150 | 布雷迪 (Brady) | (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG, | ¥1,665.79457 |
 | SIR1-03-L-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | SIR1-03-L-S-A-K-TR | ¥19.4834 |
 | SIR1-03-S-S-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥31.02858 |
 | SIR1-15-L-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: fifteen 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥65.91039 |
 | SIR1-10-L-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥53.09046 |
 | SIR1-03-L-S-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥22.88351 |
 | SIR1-10-L-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥42.53509 |
 | SIR1-10-L-S-A | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥57.14648 |
 | SIR1-07-S-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: 7 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥45.1208 |
SIRA58ADP-T1-RE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIRA58ADP-T1-RE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIRA58ADP-T1-RE3价格参考￥8.329335，你可以下载 SIRA58ADP-T1-RE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIRA58ADP-T1-RE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
