FCPF099N65S3

Name: FCPF099N65S3
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7131580-FCPF099N65S3
Price: 35.852355 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	35.85235	35.85235
10+	32.17296	321.72962
100+	26.35981	2635.98100
500+	22.43980	11219.90400
1000+	21.50576	21505.76400

库存: 25
单价: ¥35.85236
数量:
- +
总计: ¥35.85

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规格参数

长（英寸） -
制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
包装/外壳 TO-220-3全套
漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
漏源电压标 (Vdss) 650 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 3毫安
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 57 nC @ 10 V
供应商设备包装 TO-220F
导通电阻 Rds(ON) 99毫欧姆@15A，10V
最大功耗 43W (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2310 pF@400 V
色彩/颜色 -

FCPF099N65S3 产品详情

SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。

特色

RDS（开）=1.8Ω（典型值）
超低栅极电荷（典型Qg=11 nC）
低Eoss（400V时典型值为1.1 uJ）
低有效输出电容（典型cos（eff.）=51 pF）
100%雪崩测试
符合RoHS
ESD改进功能

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FCPUCKLC	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK LC CONNECTORS	¥4,824.06112
FCPUCKSCST	海尔曼泰顿 (HellermannTyton)	POLISHING PUCK SC/ST CONNECTORS	¥418.20505
FCPL01250500	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/2;1/4,1/2,1.250D	¥1,954.13442
FCPL02001000	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;1;3/8,5/8,2.000D	¥2,525.23709
FCPL00750125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1/8;1/8,3/16,.750D	¥2,793.58653
FCPL02000875	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX;7/8;3/8,5/8,2.000D	¥2,972.48616
FCPL02001125	达纳帕 (Dynapar)	CPLG,FLEX,1-1/8;3/8,5/8,2.000D	¥3,344.04693

FCPF099N65S3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCPF099N65S3 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCPF099N65S3价格参考￥35.852355，你可以下载 FCPF099N65S3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCPF099N65S3规格参数、现货库存、封装信息等信息！