9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF34NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF34NM60N价格参考4.98000美元。STMicroelectronics STF34NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP。您可以下载STF34NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF33N60M2是MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可作为1通道数的通道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9.6 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为26 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为108mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为109ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为45.5nC。
STF34N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.011640 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，技术设计用于Si，以及MDMesh M5系列，该器件也可以用作110毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为30W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为29A。
带有电路图的STF33N65M2，包括通孔安装型，设计用于to-220FP-3包装箱，包装如数据表注释所示，用于管，提供MDmesh M2等系列功能，技术设计用于硅，以及0.081130盎司单位重量。
