增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 75 A，60 V.RDS（开）=0.013Ω@VGS=10 V。
- 高温下规定的临界直流电参数。
- 坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需要。
- 175°C最大结温额定值。
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- TO-220和TO-263（D2PAK）封装适用于通孔和表面安装应用。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
