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STO33N60M6

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TOLL (HV) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 40.05323 40.05323
10+ 35.95375 359.53756
100+ 29.45759 2945.75990
500+ 25.07694 12538.47400
1800+ 24.03324 43259.84280
  • 库存: 140
  • 单价: ¥36.35936
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 25A(Tc)
  • 最大功耗 230W(Tc)
  • 包装/外壳 8-PowerSFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.75V @ 250A
  • 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@12.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33.4 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1515 pF@100 V
  • 供应商设备包装 TOLL (HV)

STO33N60M6 产品详情

STO33N60M6所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STO33N60M6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STO33N60M6价格参考¥36.359358,你可以下载 STO33N60M6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STO33N60M6规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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