9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STI400N4F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STI400N4F6参考价格$5.04000。STMicroelectronics STI400N4F6封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK。您可以下载STI400N4F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STI360N4F6是MOSFET N沟道40 V 120 A STripFET功率MOSFET，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于I2PAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，漏极-源极电阻Rds为1.8mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为340nC，沟道模式为增强。
STI3540，带有SUNTO制造的用户指南。STI3540采用SOT23-5封装，是IC芯片的一部分。
STI35N65M5是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK。STI35N66M5有TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 27B I2PAK、MOSFET N沟道650 V 0.085 Ohm、27 A、MDmesh。
