9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI13N65M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI13N65M2参考价格为2.14000美元。STMicroelectronics STFI13N65M2封装/规格：MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP。您可以下载STFI13N65M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI13N80K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于I2PAK-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为12 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强型。
带用户指南的STFI13N60M2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为41 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh M2系列，该器件具有10 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为380 mOhms，Qg栅极电荷为17 nC，Pd功耗为25 W，封装为管，封装盒为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为9.5 ns，配置为单一。
STFI12N60M2（带有ST.制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N沟道600 V、N沟道600V 9A（Tc）25W（Tc）通孔I2PAKFP（TO-281）、Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3引脚（3+Tab）I2PAKF管、MOSFET N信道600 V、典型0.395欧姆、I2PAKFP封装中的9 A MDmesh M2功率MOSFET”。
STFI13N65M2带有ST.制造的EDA/CAD型号，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N沟道650 V、N沟道650V 10A（Tc）25W（Tc）通孔I2PAKFP（TO-281）、Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3引脚（3+Tab）TO-220FP管、MOSFET N信道650 V、典型0.37欧姆、I2PAKF封装中的10 A MDmesh M2功率MOSFET”。
