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FDD6690A

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),56W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.83633 8.83633
10+ 7.88751 78.87518
100+ 6.14777 614.77740
500+ 5.07872 2539.36050
1000+ 4.25245 4252.45100
2500+ 4.25245 10631.12750
  • 库存: 1493
  • 单价: ¥8.83634
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.84
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 导通电阻 Rds(ON) 12A、10V时为12毫欧姆
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC @ 5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)、46A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1230 pF@15 V
  • 最大功耗 3.3W(Ta),56W(Tc)

FDD6690A 产品详情

该N沟道逻辑级MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现优异的开关性能。

特色

  • 46安培,30伏特
  • RDS(开启)=12 mΩ@VGS=10 V
  • RDS(开启)=14 mΩ@VGS=4.5 V
  • 低栅极电荷
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS的高性能沟槽技术(开启)

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD6690A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD6690A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD6690A价格参考¥8.836338,你可以下载 FDD6690A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD6690A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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