这种增强型（常关）晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低CISS和快速切换速度
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
VN10KN3-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 310毫安 (Tj) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.19363 | 4.19363 |
- 库存: 25
- 单价: ¥4.19364
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.19
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
- 最大功耗 1W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 包装/外壳 至226-3，至92-3（至226AA）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 310毫安 (Tj)
- 色彩/颜色 -
VN10KN3-G 产品详情
VN10KN3-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | VN1 | 瑞士佳乐 (Carlo Gavazzi) | 种类: 液体 输出类别: 转发 工作温度: 0摄氏度~90摄氏度 | ¥1,829.19758 |
 | VN101503 | 采埃孚 (ZF) | 种类: 霍尔效应传感器 输出类别: 数字的 电源电压: 4.5伏~24伏 包装/外壳: 开槽阀体 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥77.10357 |
 | VN101501 | 采埃孚 (ZF) | 种类: 霍尔效应传感器 输出类别: 数字的 电源电压: 4.5伏~24伏 包装/外壳: 开槽阀体 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥87.78395 |
| VN101504 | 采埃孚 (ZF) | 种类: 霍尔效应传感器 输出类别: 数字的 电源电压: 3.8伏~24伏 包装/外壳: 模块 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TA） | ¥511.7366 |
 | VN170500004101 | KEY PIN WITH LOCK WASHERS | ¥21.36656 | |
 | VN163200127X | 附件种类: 电缆密封套 配套使用/相关货物: 重|伙计底座和风帽 产品规格: M32螺纹 评级: IP67 - Dust Tight, Waterproof | ¥50.91759 | |
| VN161600026X | 附件种类: EMC电缆密封套 配套使用/相关货物: 重|伙计底座和风帽 产品规格: PG16螺纹 评级: IP68 - Dust Tight, Waterproof | ¥67.4314 | |
 | VN161100014X | 附件种类: 电缆密封套 配套使用/相关货物: 重|伙计底座和风帽 产品规格: PG11螺纹 评级: IP65 - Dust Tight, Water Resistant | ¥26.65387 | |
| VN162000113X | GLAND BUSHING EZ 10PCS | ¥68.18466 | |
| VN161350003V | 附件种类: 电缆夹 配套使用/相关货物: 重|伙计底座和风帽 产品规格: PG13.5螺纹 评级: IP65 - Dust Tight, Water Resistant | ¥68.31503 |
VN10KN3-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，VN10KN3-G 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产，可通过久芯网进行购买。VN10KN3-G价格参考￥4.193639，你可以下载 VN10KN3-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询VN10KN3-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国微芯 (MICROCHIP)
Microchip Technology Incorporated（纳斯达克股市代号：MCHP）是全球领先的单片机和模拟半导体供应商，为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更...
