VP2106N3-G

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 安装类别 通孔
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 制造厂商 微芯 (Microchip)
• 场效应管类型 P-通道
• 最大功耗 1W（Tc）
• 供应商设备包装 TO-92-3
• 包装/外壳 至226-3，至92-3（至226AA）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@1毫安
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安（Tj）
• 导通电阻 Rds(ON) 12欧姆@500毫安，10伏
• 色彩/颜色 不锈钢