9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI4N62K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI4N62K3参考价格为1.25000美元。STMicroelectronics STFI4N62K3封装/规格：MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP。您可以下载STFI4N62K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI40N60M2，带引脚细节，包括MDmesh M2系列，设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为13.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为34 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为88mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为20.5ns，Qg栅极电荷为57nC。
STFI34N65M5是MOSFET N-Ch 650 V 0.09 Ohm 28 A MDmesh（TM）M5，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，以及MDmesh商品名，该设备也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，器件的上升时间为8.7 ns，器件的漏极-源极电阻为90 mOhms，Qg栅极电荷为62.5 nC，Pd功耗为35 W，封装为管，封装外壳为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为28 A，下降时间为7.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STFI34NM60N是MOSFET N沟道600 V 29A Mdmesh II 0.105 Ohm，包括29 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供安装方式功能，如通孔，信道数量设计为在1个信道中工作，以及I2PAKFP-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为40 W，该器件提供105 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有串联N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极源极击穿电压为600 V。
