DMP31D0UFB4-7B

Name: DMP31D0UFB4-7B
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7131756-DMP31D0UFB4-7B
Price: 3.621450 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 (Ta) 最大功耗: 460mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN1006-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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10+	2.94786	29.47860
100+	2.00918	200.91800
500+	1.50681	753.40650
1000+	1.13003	1130.03700
2000+	1.03588	2071.76000
5000+	0.97308	4865.42000
10000+	0.91036	9103.60000

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规格参数

高度（英寸） -
长（英寸） -
宽（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
场效应管类型 P-通道
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
包装/外壳 3-XFDFN
漏源电流 (Id) @ 温度 540毫安 (Ta)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
供应商设备包装 X2-DFN1006-3
导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@400毫安，4.5伏
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 76 pF @ 15 V
最大功耗 460mW (Ta)
色彩/颜色 -

DMP31D0UFB4-7B 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其适合于高效电源管理应用。

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型号	制造商	描述	价格
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DMP31D0UFB4-7B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP31D0UFB4-7B 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP31D0UFB4-7B价格参考￥3.621450，你可以下载 DMP31D0UFB4-7B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP31D0UFB4-7B规格参数、现货库存、封装信息等信息！