特征
*200伏五、DS公司
*RDS（开）=23Ω
N沟道200V 120mA（Ta）500mW（Ta）通孔TO-92-3
Trans-MOSFET N-CH 200V 0.12A汽车3针E线
特色
● BVDSS>200V
● RDS（开）≤23Ω@VGS=2.6V
● ID=120mA最大持续漏电流
● 完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
● 无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
● 符合AEC-Q101高可靠性标准
BS107P
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.99760 | 4.99760 |
| 10+ | 4.39644 | 43.96440 |
| 100+ | 3.36794 | 336.79490 |
| 500+ | 2.66263 | 1331.31750 |
| 1000+ | 2.13013 | 2130.13700 |
| 2000+ | 1.93045 | 3860.90000 |
| 5000+ | 1.81543 | 9077.16500 |
- 库存: 455
- 单价: ¥4.99760
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.00
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 包装/外壳 至226-3，至92-3（至226AA）
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 供应商设备包装 TO-92
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120毫安（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.6伏、5伏
- 导通电阻 Rds(ON) 30欧姆 @ 100毫安, 5V
- 色彩/颜色 -
BS107P 产品详情
N沟道200V 120mA（Ta）500mW（Ta）通孔TO-92-3
Trans-MOSFET N-CH 200V 0.12A汽车3针E线
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BS107P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BS107P 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BS107P价格参考￥4.997601，你可以下载 BS107P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BS107P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
