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FDB029N06

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 231W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 54.39417 54.39417
10+ 49.13583 491.35834
100+ 40.68119 4068.11960
800+ 36.35972 29087.77600
  • 库存: 3414
  • 单价: ¥38.74952
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥54.39
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 最大功耗 231W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 151 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.1毫欧姆@75A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9815 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

FDB029N06 产品详情

该N沟道MOSFET采用PowerTrench®工艺生产,该工艺经过定制,可最大程度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

特色

  • RDS(开启)=2.4mΩ (典型)@VGS=10V,ID=75A
  • 快速切换速度
  • 低栅极电荷
  • 用于极低RDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合RoHS

应用

  • AC-DC商用电源
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • AC-DC商用电源-台式电脑
  • 其他数据处理
FDB029N06所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB029N06 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB029N06价格参考¥38.749515,你可以下载 FDB029N06中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB029N06规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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