英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 用于宽SOA的平面单元结构
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 硅优化用于低于100kHz的应用切换
- 行业标准通孔电源组件
- 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
- 能够进行波峰焊接
IRFZ24NPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.39136 | 1.39136 |
| 59+ | 1.31748 | 77.73155 |
| 100+ | 1.24360 | 124.36060 |
- 库存: 500
- 单价: ¥1.39136
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.39
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 45W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 漏源电压标 (Vdss) 55 V
- 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 10A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 17A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 370 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
IRFZ24NPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 55V，英飞凌
IRFZ24NPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFZ24NPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFZ24NPBF 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFZ24NPBF价格参考￥1.391361，你可以下载 IRFZ24NPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFZ24NPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
