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STB32N65M5是MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V，包括MDmesh M5系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有150W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，下降时间为16ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs的栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-源极电阻为95mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为53ns，Qg栅极电荷为72nC。
STB32NM50N是MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，例如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为21.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为9.5 ns，Rds漏极-源极电阻为130 mOhms，Qg栅极电荷为62.5 nC，Pd功耗为190 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为22A，下降时间为23.6ns，配置为单一。
STB31N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5，包括13.9 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了to-252-3中使用的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计用于150 W，以及148 mOhm Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有0.13932盎司的单位重量，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
STB30NS15T4带有ST制造的EDA/CAD模型。STB30NS15T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
