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RCD100N19TL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 190伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.19848 9.19848
10+ 8.22793 82.27934
100+ 6.41648 641.64850
500+ 5.30078 2650.39450
1000+ 4.18480 4184.80300
  • 库存: 1163
  • 单价: ¥9.19848
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.20
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 CPT3
  • 漏源电压标 (Vdss) 190伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 182毫欧姆@5A,10V
  • 最大功耗 850mW (Ta), 20W (Tc)
  • 色彩/颜色 -

RCD100N19TL 产品详情

RCD100N19TL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RCD100N19TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RCD100N19TL价格参考¥9.198483,你可以下载 RCD100N19TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RCD100N19TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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