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STP17N62K3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.5A (Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 39.32894 39.32894
10+ 35.30189 353.01895
100+ 28.92524 2892.52450
500+ 24.62354 12311.77100
  • 库存: 968
  • 单价: ¥39.32895
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39.33
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 100A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 94 nC @ 10 V
  • 最大功耗 190W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2500 pF@50 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电压标 (Vdss) 620 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 380毫欧姆 @ 7.5A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15.5A (Tc)
  • 色彩/颜色 -

STP17N62K3 产品详情

STP17N62K3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP17N62K3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP17N62K3价格参考¥39.328947,你可以下载 STP17N62K3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP17N62K3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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