9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP17N62K3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STP17N62K3参考价格为5.43000美元。STMicroelectronics STP17N62K3封装/规格:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB。您可以下载STP17N62K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP170N8F7是MOSFET功率MOSFET,包括N沟道STripFET系列,它们设计为以0.011640盎司的单位重量运行,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-220-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1沟道数量的信道,该器件也可以用作250W Pd功耗,其最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围是-55℃,该器件的下降时间为37纳秒,上升时间为53纳秒,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为120 a,Vds漏极-源极击穿电压为80 V,Vgsth栅极-源极阈值电压为2.5V至4.5V,Rds漏极-源极电阻为3.9mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为79ns,典型接通延迟时间为38ns,Qg栅极电荷为120nC,沟道模式为增强。
STP16NS25FP是由ST制造的MOSFET N-CH 250V 16A TO-220FP。STP16NS25 FP以TO-220-3全封装封装形式提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH250V 16A TO-220FP、N沟道250V 16A(Tc)40W(Tc)通孔TO-220FP。
STP175F,带有PROTECTRONICS制造的电路图。STP175F采用SMD封装,是IC芯片的一部分。
STP17N25,带有STMAR制造的EDA/CAD模型。STP17N25采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。