9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI6N80K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI6N80K5参考价格为2.26000美元。STMicroelectronics STFI6N80K5封装/规格：MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP。您可以下载STFI6N80K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STFI40N60M2，带引脚细节，包括MDmesh M2系列，设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供40 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为13.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为34 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为88mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为20.5ns，Qg栅极电荷为57nC。
STFI34NM60N是MOSFET N沟道600 V 29A Mdmesh II 0.105欧姆，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该器件还可以用作40W Pd功耗。此外，包装为管式，装置采用I2PAKFP-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为29 a。
STFI4N62K3，带有ST制造的电路图。STFI4D62K3采用TO-262F封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N-Ch 620 V 1.7 Ohm 3.8 A、N沟道620V 3.8A（Tc）25W（Tc）通孔I2PAKFP（TO-281）、Trans MOSFET N-Ch 620V 3.8 A 3引脚（3+Tab）I2PAKF管、MOSFET N-Ch 620 V 1.7欧姆3.8 A、SuperMESH3”。
