9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR220PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR220PBF参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix IRFR220PBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK。您可以下载IRFR220PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFR220PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFR220NTRPBF是MOSFET N-CH 200V 5A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供43 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为6.4ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
IRFR220NTRPBF是MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600欧姆15nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以11 ns上升时间提供，器件具有600 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为15 nC，Pd功耗为43 W，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为5A，下降时间为12ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFR220NTRR是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 5A DPAK。IRFR220ENTRR可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 5A DPAK，N沟道200V 5A（Tc）43W（Tc）表面安装D-Pak。
