9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI34N65M5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI34N65M5参考价格为5.49000美元。STMicroelectronics STFI34N65M5封装/规格：MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP。您可以下载STFI34N65M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI28N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-262-3，以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为7.2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为22 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为14.5ns，Qg栅极电荷为36nC，沟道模式为增强。
带用户指南的STFI31N65M5，包括4 V Vgs第四栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于650 V，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及MDmesh商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，器件的上升时间为8 ns，器件的漏极-源极电阻为124 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为30 W，封装为管，封装外壳为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为22 A，下降时间为8.5 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STFI26NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.135 Ohm 20A MDmesh II，包括20 A Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装外壳设计用于I2PAKFP-3，以及管封装，该器件也可以用作30W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为165 mOhm，该器件采用N沟道MDmesh系列，该器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道且Vds漏极源极击穿电压为600 V。
