RFD3055LE

规格参数

• 高度（英寸） -
• 长（英寸） -
• 宽（英寸） -
• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 安装类别 通孔
• 最大功耗 38W (Tc)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
• 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.3 nC@10 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 25 V
• 供应商设备包装 I-PAK
• 导通电阻 Rds(ON) 107毫欧姆@8A，5V
• 色彩/颜色 -